我国正在太空成功验证第三代半导体材料制制的
上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制制业转型升级的驱动要素和主要。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国正在太空成功验证
上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制制业转型升级的驱动要素和主要。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国正在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料无望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所研究员引见，功率器件是实现电能变换和节制的焦点，被誉为“电力电子系统的心净”，是最为根本、以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其奇特劣势可满脚空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天手艺成长具有主要计谋意义。2024年11月15日，中国科学院微电子研究所、汤益丹团队和中国科学院空间使用工程取手艺核心平易近团队配合研制的碳化硅（SiC）载荷系统，搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，了空间坐轨道科学试验之旅。“本次搭载次要使命是对国产自研、高压抗辐射的碳化硅（SiC）功率器件进行空间验证，同时进行分析辐射效应等科学研究，逐渐提拔我国航字电源功率，支持将来单电源模块达到千瓦级。”说。碳化硅（SiC）载荷测试数据一般，成功进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器件正在轨试验取使用验证，正在电源系统中静态、动态参数均合适预期。业内专家认为，我国正在太空成功验证第三代半导体材料制制的功率器件，标记着正在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件无望牵引空间电源系统的升级换代，为将来我国正在探月工程、载人登月、深空探测等范畴供给新一代功率器件。
